반도체 공정 과정 - EDS 공정 (7)

EDS 공정이란 무엇인가

웨이퍼 위에 전자회로를 그리는 FAB 공정과 최종적인 제품의 형태를 갖추는 패키지 공정 사이에 진행된다.

전기적 특성 검사를 통해 개별 칩들이 원하는 수준의 품질에 도달했는지 확인하는 공정이다.

 

EDS 공정 목적

• 웨이퍼 상태 반도체 칩의 양품/불량품 선별
• 불량 칩 중 수선 가능한 칩의 양품화
• FAB 공정 또는 설계에서 발견된 문제의 수정
• 불량 칩을 미리 선별해 이후 진행되는 패키징공정 및 테스트 작업의 효율 향상

 

EDS 공정 단계

1. ET Test & WBI (Electrical Test & Wafer Burn In)

ET Test는 반도체 집적회로(IC) 동작에 필요한 개별소자들(트랜지스터, 저항, 캐패시터, 다이오드)에 대해 전기적 직류전압, 전류특성의 파라미터를 테스트하여 동작 여부를 판별하는 과정이다. 반도체 칩으로 행하는 첫 테스트라고 볼 수 있다.

 

WBI 공정은 웨이퍼에 일정 온도의 열을 가한 다음 AC(교류)/DC(직류) 전압을 가해 제품의 결합, 약한 부분 등 잠재적인 불량 요인을 찾아낸다. 제품의 신뢰성을 효과적으로 향상시키는 공정이다.

 

2. Hot/Cold Test

Hot/Cold 공정에서는 전기적 신호를 통해 웨이퍼 상의 각각의 칩 중 불량품이 있는지 판정한다.

수선 가능한 칩은 수선 공정에서 처리하도록 정보를 저장한다. 이때, 특정 온도에서 정상적으로 동작하는지 판별하기 위해 상온보다 높고 낮은 온도의 테스트가 병행된다.

 

3. Repair/Final Test

Repair 공정은 EDS 공정에서 가장 중요한 단계이다.

Repair 공정에서는 Hot/Cold 공정에서 수선 가능으로 판정된 칩들을 수선하고, 수선이 끝나면 Final Test 공정을 통해 수선이 제대로 이루어졌는지 재차 검증하여 양/불량을 최종 판단한다.

 

4. Inking

Inking 공정은 불량 칩에 특수 잉크를 찍어 육안으로도 불량을 식별할 수 있도록 만드는 공정이다.

Hot/Cold Test 공정에서 불량으로 판정된 칩, Final Test 공정에서 재검증 결과 불량으로 처리된 칩, 웨이퍼에서 완성되지 않은 반도체 칩을 구별한다.

 

Inking 공정을 마친 웨이퍼는 건조된 후, QC(Quality Control) 검사를 거쳐 조립 공정으로 옮겨지게 된다.