TimingTiming은 시스템 내에서 각 신호가 언제 활성화되고, 비활성화되며 이를 통해 데이터가 정확하게 전달되고 처리되는 과정을 결정한다. 특히 I/O 핀이나 핀 포매터와 같이 같은 시스템에서는 각 신호의 타이밍이 매우 중요하다. Timing 용어BCLK/CCLKI/O Pin 및 HCPD Pin의 Formatter에서 RZ/NRZ 등의 Pattern 발생 시 사용되는 에지DRETI/O Pin의 Driver Enable Pattern을 발생시키는데 사용되는 에지STRBI/O Pin에서 Device의 출력 DATA와 ALPG(Algorithm Pattern Generator)의 기대 DATA를 비교/판정하는데 사용되는 에지 Timing의 역할데이터 동기화 : 타이밍을 통해 데이터 전송과 동기화를 맞춘다..

입력 데이터1. 입력 파형을 만드는 하드웨어 패턴메모리에 저장된 채널의 테스트 벡터의 입력 데이터는 입력 파형을 만들기 위해 포매터(formatter)로 이동한다.포매터는 테스트벡터의 입력데이터를 파형의 형태를 결정하기 위해서 타이밍생성기(Timing Generator)와 연결된다.파형의 전압레벨을 만드는 드라이버(driver)를 통해 실제 입력파형(input waveform)으로 DUT 입력핀에 공급된다.타이밍생성기(Timing Generator)는 테스트주기, 각종 파형 발생을 위한 타이밍 엣지, 출력비교를 위한 스트로브 등의 타이밍을 생성하는 장치이다. 2. 타이밍 생성기포매터는 테스트벡터의 입력데이터를 타이밍생성기(Timing Generator, TG) 또는 타이밍에지생성기(Timing Edge ..

전압 분배 법칙이란저항기 두개가 직렬로 연결된 회로에서 각 저항에 걸리는 전압을 계산하는 데 사용한다. 증명 과정회로 구성: 직렬로 연결된 두 저항 R1과 R2와 공급 전압 V를 가진 회로를 고려한다.전류 흐름: 직렬 회로에서는 전류가 모든 저항을 통과하므로, 저항 R1과 R2를 흐르는 전류 I는 같다.옴의 법칙 사용V = I * RV1 = I * R1V2 = I * R2전체 전압(키르히법칙에 의해): V = V1 + V2전압의 대입V = I * R1 + I * R2 = I(R1 + R2)I = V / R1 + R2각 저항의 전압을 구하면V1 = I * R1 = (V / R1 + R2) * R1 = V * R1 / R1 + R2 = R1 / R1 + R2 * VV2 = I * R2 = (V / R1 + ..

Fuctional Test펑션 테스트는 DUT(Device Under Test)가 의도된 논리 기능들을 정확하게 동작하는지를 검증한다.따라서 DUT 내에 고장들을 검출할 수 있는 테스트 벡터를 사용하는 ATE를 이용하여 디지털 IC의 Fuctional Test가 이루어진다. ATE의 패턴메모리에 디지털 IC의 동작을 나타내는 테스트벡터를 저장한다.테스트벡터의 입력 데이터를 ATE의 포매터로 부터 파형을 만들고 ATE의 PE에 있는 드라이버에서 전압레벨을 설정하여 입력 신호를 만든다.이 입력 신호를 DUT에 인가한다.DUT에 인가된 입력신호에 따라 동작하여 나오는 출력신호는 테스트벡터의 출력데이터와 ATE의 PE내에 있는 비교기에서 비교되고 동작 여부를 판정한다.테스트 타이밍과 결합된 테스트벡터가 펑션테스..

디지털 IC 테스트IC 규격서(Specifications)에 정의된 최악 환경에서 IC 기능들이 제대로 수행하는 지를 보증하는 것이다.디지털 IC 테스트 항목Function Test- 진리표(Truth Table)- ALPG(Algorithmic Pattern Generation)DC Parametric Test- O/S(Open/Short)- 출력구동전류(output drive current)- 누설전류(leakage)- 전원전류(power current)- 문턱전압레벨(threshold level)AC Parametric Test- 전달지연시간(propagation delay)- 셋업시간(setup time)- 홀드시간(hold time)- 펑션속도(fuctional speed)- 엑세스시간(acce..

패키징 공정이란 무엇인가전공정을 거친 후 낱개로 잘린 칩, 즉 Die는 외부와 전기신호를 주고 받을 수 없으며, 외부 충격에 의해 손상되기 쉽다.따라서 반도체 칩을 기판이나 전자기기에 장착하고 칩이 외부와 신호를 주고받을 수 있도록 길을 만들고 보호해주는 과정을 패키징이라 한다.패키징 과정1. 웨이퍼 절단 (Wafer Sawing)웨이퍼를 낱개의 칩으로 분리하는 단계로 스크라이브 라인(Scribe Line)을 따라 웨이퍼를 다이아몬드 톱이나 레이저를 이용하여 절단한다. 2. 칩 접착 (Die attach)절단된 칩들은 리드프레임 또는 PCB 위에 옮겨진다.리드프레임은 반도체 칩과 외부 회로 간 전기신호를 전달하고, 외부 환경으로부터 칩을 보호, 지지해주는 골격 역할을 한다. 3. 금속 연결 (Wire B..

EDS 공정이란 무엇인가웨이퍼 위에 전자회로를 그리는 FAB 공정과 최종적인 제품의 형태를 갖추는 패키지 공정 사이에 진행된다.전기적 특성 검사를 통해 개별 칩들이 원하는 수준의 품질에 도달했는지 확인하는 공정이다. EDS 공정 목적웨이퍼 상태 반도체 칩의 양품/불량품 선별불량 칩 중 수선 가능한 칩의 양품화FAB 공정 또는 설계에서 발견된 문제의 수정불량 칩을 미리 선별해 이후 진행되는 패키징공정 및 테스트 작업의 효율 향상 EDS 공정 단계1. ET Test & WBI (Electrical Test & Wafer Burn In)ET Test는 반도체 집적회로(IC) 동작에 필요한 개별소자들(트랜지스터, 저항, 캐패시터, 다이오드)에 대해 전기적 직류전압, 전류특성의 파라미터를 테스트하여 동작 여부를 ..

금속 배선 공정이란 무엇인가반도체는 전기가 잘 통하는 물질인 도체와 통하지 않는 물질인 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 상황에 따라 전기가 흐르거나 흐르지 않도록 조절할 수 있다.반도체를 제조할 때 웨이퍼 위에 포토, 식각, 증착 등 공정을 반복하며 트랜지스터와 기타 구조를 만든다. 이 구조물은 전기신호와 전력을 주고받을 수 있도록 서로 연결되어 있어야 한다.이렇게 연결된 기본 소자들을 동작시키기 위해서는 외부에서 에너지원인 전기적 신호를 가해주어야 한다.이 소자들을 동작시키고 각각의 신호가 섞이지 않고, 잘 전달되도록 선을 연결하는 작업을 금속 배선 공정이라 한다.금속 배선 필요 조건반도체에 들어가는 금속 재료는 여러가지 필요 조건을 만족해야 사용할 수 있다.1. 반도체 기판(웨이퍼)과의 부착성부착..